رقاقة معالج 835 تأتي بدقة تصنيع 10nm وQuick Charge 4

التقنية بلا حدود 0 تعليق 35 ارسل لصديق نسخة للطباعة تبليغ
2016-11-17
snapdragon-835-quick-charge-4

تحالف جديد يجمع بين العملاق الكوري و شركة لتصنيع رقاقة معالج سناب دراجون 835، التي تأتي بدقة تصنيع 10 نانومتر، وتقنية الشحن السريع من  Quick Charge 4.

أعلنت شركة رسمياً عن شراكتها مع لتصنيع رقاقة معالج سناب دراجون 835، التي تجمع بين تقنية في دقة تصنيع 10nm FinFET، لتكون أصغر إصدار من رقاقات المعالج المخصصة للهواتف الذكية لتوفر كفاءة في المساحة المستخدمة بنسبة 30%، مع أداء أعلى 27% أكثر.

snapdragon-835-quick-charge-4

كما تشير إلى أن رقاقة المعالج سناب دراجون 835 تأتي بكفاءة في استهلاك الطاقة بنسبة 40% أقل من الإصدارات السابقة، كما أن التقنية الجديدة في دقة تصنيع 10 نانومتر التي تدعم تصميم أصغر لرقاقة المعالج، من شأنه أن يدعم الشركات المصنعة للهواتف الذكية والأجهزة في تصميم إصدارات أصغر حجماً، أو دعم المحتويات الأخرى للهاتف بشكل أفضل.

تدعم أيضاً رقاقة معالج سناب دراجون 835 بتقنية الشحن الذكي Quick Charge 4 الجديدة التي تستخدم للمرة الأولى مع رقاقة المعالج، حيث تؤكد على قدرة تقنية الشحن الجديدة على دعم سرعة شحن أكبر ب 20%من Quick Charge 3، كما أنها تأتي بكفاءة شحن 30% أكثر مقارنة بالإصدار السابق، مع تقنية شحن Dual parallel.

كما تدعم رقاقة معالج سناب دراجون 835 معايير C مع لتوصيل الطاقة، أي أن الرقاقة الجديدة ستدعم الشحن السريع لمحركات -PD، مثل أجهزة  Nexus وهواتف ، إلى جانب دعم شحن أجهزة MacBooks عن طريق منفذ C باستخدام شاحن Quick Charge 4.

كما تشمل تقنية الشحن السريع 4 الجيل الثالث من تقنية INOV التي توفر الجهد الأمثل، كما تدعم إدارة حرارية في الوقت الحقيقي للشحن، كما تقدم اثنان من تقنية  ICs لإدارة حرارية بكفاءة أكبر في كلاً من SMB1380 وSMB1381، حيث تدعم كلاً منهما مقاومة منخفضة بكفاءة تصل إلى 95%، كما تأتي تقنية الشحن السريع أيضاً بمميزات في استشعار أفضل للبطارية.

من المتوقع أيضاً أن تبدأ رقاقة معالج سناب دراجون 835 في الإنطلاق للأسواق أو لصانعي الأجهزة المحمولة في النصف الأول من عام 2017.

المصدر

أخبار ذات صلة

0 تعليق