تسريبات: تقدم ذاكرة 8GB RAM في هاتف

التقنية بلا حدود 0 تعليق 20 ارسل لصديق نسخة للطباعة تبليغ
2016-12-26
Samsung-Galaxy-S8-design-c

أشارت تسريبات جديدة خرجت من الصين اليوم، على أن العملاق الكوري ترفع معايير العشوائية المستخدمة في هاتفها المرتقب ، كما تقدم الهاتف مع ذاكرة فلاشية UFS 2.1.

تستمر التسريبات والتوقعات في الإنتشار حول هاتف القادم ، وفي أحدث هذه التسريبات أشير إلى أن تنتقل إلى مستوى جديد للذاكرة العشوائية في إصداراها المميز  الذي يأتي وفقاً لهذه التسريبات مع ذاكرة عشوائية 8 جيجا بايت رام.

Samsung-Galaxy-S8-design-c

وقد جاءت التسريبات الجديدة عبر موقع Weibo في الصين، عبر حساب اختص بتسريبات العملاق الكوري، والتي تثبت صحتها غالباً، كما أكدت هذه التسريبات على أن تقدم هاتف  مع رقاقة معالج الشركة التي تأتي بدقة تصنيع 10 نانومتر.

أيضاً أشير في هذه التسريبات إلى إستخدام ذاكرة UFS 2.1 الفلاشية في هاتف  القادم، كما أشارت التسريبات حتى الآن أن تقدم هاتف  في نموذجين بحجم 5 و6 أنش مع توقعات أن يعرف الإصدار الأكبر بهاتف Plus، وأن يتم الكشف الرسمي عن هواتف الجديدة في مؤتمر يقام في شهر أبريل من عام 2017.

المصدر

أخبار ذات صلة

0 تعليق